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武汉国家存储器基地项目正式开工

2017-1-3 11:40:51  来源:    字体大小:
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百纳网讯 近日,总投资240亿美元的国家存储器基地项目在武汉东湖高新区正式开工。预计2020年全面建成后年产值将超过100亿美元,将会实现我国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破。

本次开工的国家存储器基地项目地处武汉东湖高新区武汉未来科技城,将建设3座全世界单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、一座总部研发大楼以及其他若干配套建筑,其核心生产厂房与设备每平方米的投资强度超过3万美元。项目一期计划于2018年建成投产,2020年完成所有项目,总产能有望达到30万片/月,年产值将会超过100亿美元。
据介绍,国家存储器基地项目是由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金和湖北省科投共同投资建设。以芯片制造环节作为突破口,集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体,建成后,还将带动设计、封装、制造和应用等芯片产业相关环节的发展。
存储器是信息系统的基础核心芯片,最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺,同时也是我国进口金额最大的集成电路产品。
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