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中科院成功开发可提高电子存储速度的新材料

2017-11-12 19:06:57  来源:    字体大小:
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百纳网讯 我国科学家在最新一期美国《科学》杂志上发表报告称已经开发出一种新型相变材料,能够将电子产品的存储速度提高约70倍左右。

相关成果由中科院上海微系统和信息技术研究所的宋志棠团队取得。宋志棠等人利用含锑、钪和碲的合金材料制造出相变存储器单元(PCRAM),这一新材料的写入速度能够达700皮秒(一皮秒相当于一万亿分之一秒)。
现在可商用的相变存储器多使用锗、锑、碲合金材料,其写入速度极限约为50纳秒左右(1纳秒等于1000皮秒)。
相变存储器为一种非易失存储器,能够通过脉冲电流让存储材料在晶体和非晶体间转换,以实现读、写、擦操作。因为改变的是材料的物理状态,断电后信息不会消失,有效解决了市场常用的动态随机存储器(DRAM)因断电导致数据丢失的缺点。
钪与碲作为新型相变材料,其化学键稳定,在非晶体到多晶体转化过程中,形成稳定的“八面体”基元,并迅速“成核”生长为多晶体,使存储功耗降低,存储速度提升。
宋志棠说:“团队下一步准备将这种材料用于自主开发的64兆、128兆存储芯片上,验证其大容量、高速应用的可行性,这有望大幅提高缓存速度,为中国自主开发先进存储器铺平道路。”
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